CST MWS I算法求解單站RCS是否可以進(jìn)行掃頻設(shè)置
如題，利用I算法的 Fast RCS Sweep求解單站RCS是否可以添加掃頻設(shè)置？如果有如何添加？
因?yàn)樾枰仨氂?jì)算一個(gè)介質(zhì)目標(biāo)的單站RCS，所以A算法用不了了。而I算法里面的快速RCS里又沒找到掃頻的設(shè)置，我知道有雙站遠(yuǎn)場(chǎng)監(jiān)視器的宏，但是單站RCS就不知道怎么辦了，請(qǐng)各位大大幫忙解答
看看在這里設(shè)置一下from to能不能解決掃頻問題。
提供一個(gè)新思路，如果是介質(zhì)的話可以用涂覆操作，這樣就可以在A中仿真了
感謝樓主提供是思路，您提供的方法測(cè)試不可用，提示掃頻只能在S參數(shù)定義下使用
不過可以再下面Single Samples里面手動(dòng)多添加幾個(gè)頻率。
可是用涂敷的話豈不是要加入PEC材料了，要是計(jì)算的就是單純的介質(zhì)材料呢？
這個(gè)我倒是沒考慮到，要是只有介質(zhì)的話 就只能用I了
翻了下help,A算法簡(jiǎn)介
Please note: The solver currently only supports scattering at PEC or surface impedance type objects with vacuum background materials and open boundary conditions.
概括起來一句話：A只能求解真空中無耗媒質(zhì)的遠(yuǎn)場(chǎng)問題
那有人用T求解器計(jì)算過PEC上涂覆材料嗎
你說的Single Samples是所謂的后處理模型嗎 或是在列表中的farfiled下嗎 那里的RCS好像是雙站RCS啊
