Iris 波導濾波器的HFSS和Designer協同仿真設計

    i. 考慮到后面要使用與Ansoft Designer 的協同仿真，每個求解設置下必須只包含一個掃頻設置（在HFSS 單獨使用時，掃頻設置的數目不受限制），并且掃頻設置使用默認名稱Sweep1；

    ii. 對于波導結構來說推薦使用快速掃頻；只有當仿真的頻段達到波導的截止頻率時，才推薦使用插值掃頻； 取消Save Fields前面的勾選可減少硬盤空間的需求；

    端口設置：

    i. 使用波端口（waveports）

    ii. 僅求解一個模式 ( 主模)

    iii. 在每個基本單元的兩個端口上都定義積分線，這樣可以避免求解出的電 場相位有180 度的相差；

    iv.  這樣一來，在每個端口處都只求解主模；我們知道在波導內部，IRIS 的存在會產生高次模（消逝模式）；然而，這些模式會迅速呈指數衰減，當波端口距離iris 足夠遠時，這些高次模還沒反射到端口處就已經衰耗到很小的數量級（通常小于-20dB 時，高次模可被忽略不計），工程上可忽略不計； 在IRIS 基本單元中，我們可以設置波導長為2*a，a 為波導截面的寬；

    v. 在這個例子中，我們把波導壁簡化為理想導體，可無需畫出波導壁，HFSS 會默認仿真物體與背景交界的面為PEC，這將不考慮金屬損耗；

    vi. 如果結構中存在兩個放置很近的 IRIS，這種情況下可能除了主模以外的少數幾個高次模在到達波端口之前還沒有得到很好的衰減，那么你需要將兩個IRIS 一并當作一個基本單元在HFSS 中仿真。

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